半导体领域，掩膜板相当于老式相机拍照用到的“底片”，光刻就在这个“底片”上，将上面的图形准确地转移到下面的光刻胶上。（底片这玩意儿可能很多90后00后没有接触过）。
用于制作掩膜板的材料，主要由高品质的石英玻璃基板和在表面沉积的遮光材料构成，其中遮光材料通常用的是铬（Cr）。选择铬膜是因为它的沉积与刻蚀相对比较容易，而且对光线完全不透明。
那么掩膜板需要覆盖光刻胶的所有位置吗？其实不然，这得根据所需的电路图案设计，透光和不透光的区域交替排列，这样就可以只让特定的光刻胶区域曝光或保持未曝光状态，进而通过显影和蚀刻等后续步骤，在晶圆表面形成所需的电路图案。
画个Layout view视图举例，如能只是其中一小块。
那么在半导体制造流程中，我们是不是只用到一次掩膜板或者说掩膜工艺？答案也不是。比如说在多层布线过程中，可能需要多次重复，每增加一层电路就需要一个新的掩模板，以构建多层复杂集成电路结构。
为了对掩膜板有一个更深的认识，我们用COMS工艺中的两个步骤举例，具体来说说。
先看看N-Well掩膜板：
COMS工艺，在形成N-Well区域的步骤中，N-Well掩模板被用于在生长的氧化层上进行光刻胶成像。这一成像过程仅曝光N-well区域，为后续的刻蚀步骤奠定基础。刻蚀完成后，去除光刻胶，并进行n型杂质的扩散，从而在p型衬底中形成N-Well。
接下来，就要用于ACTIVE掩模板的使用，用于有源区的制作。在这一步骤中，首先在SiN层上淀积光刻胶，然后利用ACTIVE掩模板进行光刻胶成像。成像后的SiN层经过刻蚀移除，为生长氧化层（FOX）提供了条件。
在上面的流程中，我们用到了N-Well掩膜板和ACTIVE掩模板，后续流程还有用于形成多晶硅栅极的POLY掩模板，用于决定金属层与半导体或多晶硅的接触孔位置的CONTACT掩模板，以及用于实现多层金属层间的通信的VIA掩模板。在这里我们就不细说了，后续说到CMOS工艺流程时，我们再详聊。
可以说，掩模板的应用遍布于半导体制造的各个环节，从基础的晶体管构造到高级的多层互连系统，无处不在。因此，掩模板的制造就非常重要了，直接关系到半导体器件的成品率。现在掩模板的制造生产基本上交给外包来做了。下面放一张图，各位大致了解下掩模板的生产流程：
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