在我们的社群有问到“减薄工艺与CMP”方面的问题。表面去年，CMP也有减薄的作用，但其实不太一样，另外还有一个磨削研磨的工艺，可能也会有所误解。下面我们放在一起来聊一聊。
为了更直观的展现这几个工艺的不同，我们先看看它们在制造流程中的位置，画了一个包含部分流程的示意图，如下。
图中的黄色底是磨削/研磨工艺，绿色背景的是CMP平坦化工艺，红色底的是减薄工艺。可以看出，在流程顺序上，它们几个是有差异的，先有磨削/研磨再是CMP（重复多次），最后才是减薄。其中CMP平坦化工艺可以先看看我前面写的文章：为什么需要CMP工艺？，平坦化CMP用的次数比较多，在离子注入后的硅片表面，每一层金属化、以及对顶层金属进行抛光等地方都需要。而磨削研磨，主要目的是减少硅片的厚度。这里要注意削和研磨其实也是两个概念，通常是按照从粗糙到精细的顺序进行的，即先进行磨削，然后进行研磨。磨削是为了达到所需的尺寸或形状，研磨是为了去除磨削过程中留下的划痕和表面缺陷，就这么简单。另外特别再说一下：磨削是磨的晶圆背面，研磨则是对整个晶圆抛光，大部分是对晶圆正面进行抛光，多是物理方法。CMP在这里我们还是再提一句，CMP平坦化是在每次金属层沉积和蚀刻之后进行，使用化学腐蚀和机械研磨。在晶圆制造过程中，CMP可能需要多次进行，主要集中在晶圆正面。最后来说减薄工艺，顾名思义，它的目的也很简单，就是希望减少晶圆的整体厚度，从而提高集成度、减少热阻、适应封装要求等。这个操作流程是在晶圆正面所有制造步骤完成后，对整个晶圆进行的一次性操作，但这个操作是在晶圆切割成单个芯片之前。
因此，可以看出减薄工艺与CMP工艺是不同的，与上面的研磨也不太一样，更有点像是磨削。通常我们是用含有金刚石磨粒的砂轮以一定的速度来磨削，如下面的图：
再画一个砂轮减薄的示意图，我画的图可能不太好看哈。
最后提一个小问题，减薄是针对晶圆的哪一面进行操作的：背面还是正面？欢迎留言！感谢阅读！
经OFC授权发布！