在前天我们的文章”到底什么是掩膜板?“中,说到掩膜板类似老式相机的”底片“,其实光刻领域还有类似于我们”相纸“的东西,即”光刻胶”。 光刻胶涂布在晶圆上,然后对其进行照射曝光,可以将底片上的图形”拓印”到”相纸”上。
光刻胶有一个比较正式的名字,叫光致抗蚀剂,英文Photoresist,简称P. R。所以在有些地方看到”抗蚀剂”也要知道它指的就是光刻胶。另外,根据它在光能量束照射下反应的不同,又分为负性光刻胶和正性光刻胶。正负性光胶有啥不一样?简单点来说,当照射晶圆时,未被掩模板遮挡住地部分,负性光刻胶会保留图形。而正性光刻胶相反,照射后的区域可以在显影后被去除,没有被照射的地方则保留下来。画个图理解一下!
弄清楚光刻胶的基本原理之后,我们接着看看关于光刻胶的几个关键特性:
灵敏度:
光刻胶的灵敏度通常指的是它对曝光光源(通常是紫外光)的反应程度,也就是光刻胶发生化学反应的难易程度。灵敏度太低会影响生产效率,所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。因为高灵敏度的光刻胶在较低的曝光剂量下就能发生足够的光化学反应,从而在显影过程中形成所需的图案。但是,灵敏度太高也不好,会影响分辨率。上面说到了分辨率,又是怎么一回事?分辨率:
光刻胶的分辨率(Resolution)是指在光刻工艺中,光刻胶能够形成的最小特征尺寸,即能够制造出的最小线宽或间距。在理想情况下,光刻分辨率可以通过瑞利判据(Rayleigh Criterion)来估算,该判据是基于光学衍射极限的考量,其公式如下:Resolution= 1.22λ / NA其中:
- λ 是曝光光源的波长;
- NA 表示数值孔径,由光刻机的物镜和照明条件决定。
那么灵敏度和分辨率之间有啥关系呢?其实也是有公式推算的,咱们在这儿就不细聊了。简单点说,灵敏度越高,分辨率就越差,反之。第 3 个特性我们来说说光刻胶的对比度。
对比度:官方一点的描述:对比度是一个描述光刻胶对光的响应特性的参数,它与光刻胶的曝光量和光刻胶响应之间的关系有关。对比度越高,光刻胶对曝光量的微小变化越敏感,从而能够产生更清晰的图案边缘。用一个比喻来说说,希望通俗些。
- 高对比度的光刻胶(好比是敏感的笔):这支笔轻轻一划就能在纸上留下清晰的线条,适合画精细的图案。在光刻胶中,这意味着很小的曝光量变化都能在胶上产生明显的不同,因此可以制造出非常细小的电路图案。
- 低对比度的光刻胶(好比是不敏感的笔):这支笔需要用力划很多次才能在纸上留下痕迹,适合画粗线条的图案。在光刻胶中,这意味着需要较大的曝光量变化才能产生效果,不适合制造精细的电路图案。
另外,光刻胶厚度也影响着对比度和分辨率,减薄胶膜厚度可以提高对比度和分辨率。一般情况下,光刻胶的对比度范围在0.9至2.0之间。最后,提一个小问题:通常情况下,负性光刻胶和正性光刻胶,它们的灵敏度,分辨率和对比度,哪个高哪个低?
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