在传统的芯片制造和封装流程中,芯片首先在晶圆上制造完成,然后切割成单独的芯片,并进行封装以保护芯片免受物理损伤并提供电气连接。
而将封装步骤提前到晶圆阶段,直接在晶圆上对芯片进行封装,省去切割和单独封装的步骤,这就是晶圆级封装,即Wafer Level Package,简称WLP。下面我们简要看看WLP的过程以供参考,注意实际制造工艺会因具体应用有所不同。首先是进行晶圆制造,制造出所需的集成电路。
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晶圆在
首先涉及到在晶圆上重新布线,即在晶圆上形成额外的金属层铜柱或导电路径,形成通孔和重新布线层RDL,以确保每个芯片单元都能有效地与外部电路连接。然后形成铜柱,并在铜柱上生成凸点。
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重新布线,形成铜柱
接下来,晶圆被涂覆一层树脂,这种树脂材料不仅起到保护作用,还能提供良好的电绝缘性能。
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树脂密封
在树脂密封之后,晶圆上的每个芯片单元的接触点会被植入锡球引脚,以便在后续的组装过程中与电路板或其他电子组件建立电气连接。
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锡球凸点
最后,完成封装的晶圆将通过划片工艺被切割成单独的芯片。
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切割成芯片简单地说,WLP与传统封装方式不同在于,传统的晶片封装是切割再封测而封装后约原晶片尺寸增20%。
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传统封装而WLP则是先在整片晶圆上进封装和测试然后才划线分割。因此,封后的体积与实时芯片的大小尺寸几乎相同。
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WLP封装总的来说,WLP的优势在于能够实现更小的封装尺寸,提高集成度。同时由于封装过程在晶圆级别完成,也可以大幅度减少生产成本和时间。
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