在传统的芯片制造和封装流程中，芯片首先在晶圆上制造完成，然后切割成单独的芯片，并进行封装以保护芯片免受物理损伤并提供电气连接。

而将封装步骤提前到晶圆阶段，直接在晶圆上对芯片进行封装，省去切割和单独封装的步骤，这就是晶圆级封装，即Wafer Level Package，简称WLP。下面我们简要看看WLP的过程以供参考，注意实际制造工艺会因具体应用有所不同。首先是进行晶圆制造，制造出所需的集成电路。

晶圆在

首先涉及到在晶圆上重新布线，即在晶圆上形成额外的金属层铜柱或导电路径，形成通孔和重新布线层RDL，以确保每个芯片单元都能有效地与外部电路连接。然后形成铜柱，并在铜柱上生成凸点。

重新布线，形成铜柱

接下来，晶圆被涂覆一层树脂，这种树脂材料不仅起到保护作用，还能提供良好的电绝缘性能。

树脂密封

在树脂密封之后，晶圆上的每个芯片单元的接触点会被植入锡球引脚，以便在后续的组装过程中与电路板或其他电子组件建立电气连接。

锡球凸点

最后，完成封装的晶圆将通过划片工艺被切割成单独的芯片。

切割成芯片简单地说，WLP与传统封装方式不同在于，传统的晶片封装是切割再封测而封装后约原晶片尺寸增20%。

传统封装而WLP则是先在整片晶圆上进封装和测试然后才划线分割。因此，封后的体积与实时芯片的大小尺寸几乎相同。

WLP封装总的来说，WLP的优势在于能够实现更小的封装尺寸，提高集成度。同时由于封装过程在晶圆级别完成，也可以大幅度减少生产成本和时间。

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