波分光层的层次结构:
下面简单分析两种OLP保护类型对OSNR的影响：
(1) OTS光线路保护OLP保护：
如上图所示，在这种保护结构中，OLP单板分别插入在OTS段落的发端和收端，可以简单理解为在OA放大器之间，实现的是所有波长业务的保护。通过以上结构图我们可以看出，在计算整个线路的光纤衰耗时，我们需要考虑OLP单板的插损。也就是说增加了OTS段落的衰耗，这时的影响主要体现在下游的OA的补偿，为了弥补上游OTS衰耗（OLP的插损）的增加来保证输出，在经过后续OMU等光层单板的插损仍然能在OUT的灵敏度范围内，就必须提高增益G，因此单个光放大版的ASE提高，导致整个OMS的累积噪声功率PASE也增加。根据级联公式：
OSNR = PRn － PASE
可知，下游站Rn点的OSNR就会降低，因此这种OLP线路保护类型基会降低原有的OSNR值。
备注：其中Rn节点的位置如下图所示，上述OSNR指的也是对应位置的ONSR。
（2）OMS光复用段类型的OLP保护：
如上图所示，OLP光单板的位置在分/合波(OMU/ODU)单板与OA之间。很明显在这种结构中，没有改变原有线路内OA之间的衰耗，因此也不会改变原有链路内光放单板的增益，由放大器产生的ASE也不会增加。根据公式推导，OMS类型的OLP线路保护类型基本不会改变OMS复用段内原有的OSNR值。
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